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阮永丰
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期刊论文
中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析
硅酸盐学报，第42卷第3期，2014年3月，-0001，（）：
利用透射电子显微镜、紫外-可见-近红外光谱以及拉曼光谱，对经受了剂量为1.67×1020 n/cm2的中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示，辐照并没有造成样品的完全非晶化，辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加，带隙变小，乌尔巴赫能量变大，且在1178nm，1410nm，1710nm处出现新的吸收峰。1178nm峰和1410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位。对辐照样品进行了室温至1600℃退火，发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时，样品中的弗兰克尔对、间隙原子和VC消失；高于800℃退火时，VSi逐渐消亡，或转化为更稳定的复杂缺陷团。为了解释与VSi有关的多个光谱峰，建立了SiC中硅空位的“类铍原子模型”。
【免责声明】以下全部内容由[阮永丰]上传于[2017年03月25日 14时05分03秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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